Luận án tiến sĩ: Nghiên cứu tính chất quang của cấu trúc một chiều ZnS chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt - NCS Nguyễn Văn Nghĩa


Ngày đăng: 30/10/2018
Tên luận án: Nghiên cứu tính chất quang của cấu trúc một chiều ZnS chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt.
Ngành: Khoa học vật liệu. Mã số: 9440122
Nghiên cứu sinh: Nguyễn Văn Nghĩa.
Người hướng dẫn khoa học:
                                              1. TS. Nguyễn Duy Hùng
     2. TS. Nguyễn Duy Cường.
 
Cơ sở đào tạo: Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
 
TÓM TẮT KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN
1. Nghiên cứu ảnh hưởng của đế Si và Si/SiO2 lên tính chất quang của vật liệu ZnS dạng đai. Kết quả nghiên cứu đã chỉ ra đế Si có ảnh hưởng mạnh tới hình dạng, thành phần và tính chất quang của vật liệu, tạo ra phát quang đa đỉnh do hiện tượng giao thoa.
2. Đã tối ưu được các điều kiện chế tạo như nhiệt độ bốc bay, thời gian bốc bay, nhiệt độ đế để chế tạo được vật liệu ZnS dạng đai có tính phát quang tốt nhất khi chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt.
3. Chế tạo được các đai micro tồn tại đồng thời các nano tinh thể ZnS-ZnO. Kết quả nghiên cứu chỉ ra được sự tăng cường phát huỳnh quang của ZnO bởi ZnS. Sự tăng cường này dẫn tới phát laser của các nano tinh thể ZnO với ngưỡng thấp.
4. Khi pha tạp Mn và Cu vào mạng nền ZnS thì cường độ phát quang liên quan đến nút khuyết O giảm. Từ kết quả này cho phép xác định được các vùng phát quang nào liên quan tới các sai hỏng do S và O trong mạng nền ZnS-ZnO.

Nguyen Van Nghia.rar Chia sẻ bài viết lên facebook